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半导体扩产“军备竞赛”火热化,又一大厂砸170亿美元扩产

全球半导体代工厂你追我赶,扩产“军备竞赛”进一步火热化。继台积电之后,全球半导体龙头三星电子也将在美国扩产。

11月24日,三星电子正式宣布,将在得克萨斯州泰勒市新建一半导体制造工厂,投资规模高达170亿美元。

芯片制造业加大投资

这是三星在美国最大的投资。

三星电子表示,170亿美元的投资包括场地、物业改善、机器设备,该厂将成为三星在美国有史以来最大的投资,也将使三星在美国的总投资超过470亿美元。

新厂将于2022年上半年破土动工,目标是在2024年下半年投入运营。泰勒工厂占地超过 500万平方米,预计将和韩国平泽市的最新生产线一起,成为三星半导体制造能力的关键产地。

新工厂将生产基于先进工艺技术的产品,应用于移动、5G、高性能计算 (HPC) 和人工智能等领域。

台积电和三星除了在制造工艺上竞争激烈,两者也在加大全球各地的布局。目前,全球各地政府为了保障供应链安全,要求晶圆厂增加本土制造,美国更是出台相关法案,将释放 540亿美元用于激励在美国进行半导体生产和研究。

就在2020年,台积电宣布,计划斥资120亿美元在美国亚利桑那州建造一座5纳米芯片工厂。首批美国雇佣的工程师在今年4月下旬已经抵达台湾,接受5纳米技术培训。

台积电预计,美国工厂的半导体设备将在2022年下半年进厂,5纳米一期月产2万片晶圆的项目将于2024年开始量产。

台积电董事长刘德音在中期业绩上表示,首批美国雇佣的工程师在4月下旬已经抵达台湾,接受5纳米技术培训。

不过,据第一财经了解,台积电的美国工厂进展并不算顺利。有台积电员工告诉第一财经,美国工程师并不能接受台积电的高强度工作节奏,而且美国建厂的成本太高。

有多名美国工程师在美国一家人力资源网站上,对台积电的评价是“工作时间太长”、“压力太大”。

“军备竞赛”火热化

今年以来,在持续的“缺芯”形势下,晶圆厂扩产持续火热化。

11月12日,中芯国际公告称,中芯控股、国家集成电路基金二期(以下简称“国家大基金二期”)和海临微订立临港合资协议,共同成立临港合资公司,总投资额为88.66亿美元。

10月21日,存储巨头美光科技宣布,将于未来十年内,在存储器制造和研发上投入超过1500亿美元,以满足2030年对存储的需求。

台积电也在10月14日正式宣布,将赴日本设立晶圆制造厂,预计2022年开始建厂,2024年开始投产。该厂初步规划以22/28nm特殊工艺为主。值得注意的是,该项资本开支不包含在此前宣布的1000亿美金之内。

台积电此前宣布三年投1000亿美元;台联电公布1000亿新台币(约合35.8亿美元)投资案,扩充在南科的12英寸厂;三星电子将在2030年前增加对System LSI和Foundry业务领域的投资,投资总额扩大至171万亿韩元(约1516亿美元),以加快先进半导体工艺技术的研究和新生产设施的建设;英特尔宣布多项扩产计划,一方面拟在美国亚利桑那州投资约200亿美元新建两座晶圆厂,另一方面希望成为晶圆代工的主要提供商。

而全球第四大晶圆代工厂也趁“缺芯”顺利IPO。10月28日,格芯在纳斯达克证券交易所上市,其首次公开募股筹集了近26亿美元。这是2021年美国最大的首次公开募股募集资金,也是历史上最大的半导体IPO。

格芯CEO Tom Caulfield在接受媒体采访时表示,现在的产能利用率已经超100%,公司的晶圆产能到2023年底都已售罄。

根据格芯的规划,未来两年将投入60亿美元,用于扩大其在新加坡、德国和美国工厂的产能。其中,新加坡投资超过40亿美元,德国和美国各投资10亿美元。


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